高性能IGBT模块

Semikron SkiiP^®4使用爱普科斯 (EPCOS) 电容器消除电压过冲

知名IGBT厂商赛米控 (Semikron) 在新开发的可开断kA级大电流的SkiiP^® 4高性能模块中采用了爱普科斯(EPCOS) 直流支撑电容器。在此大电流条件下，直流支撑的漏电感会引发不必要甚至有害的电压过冲。为解决这个问题，TDK推出具有超低自感的缓冲电容器和直流支撑电容器。

TDK的最新开发成果帮助赛米控优化了SkiiP^® 4 IGBT模块的设计和性能。新型IGBT模块中采用无基板的直接铜键合 (DBC) 概念，配备高性能冷却器（散热片）。这样一来，由四个半桥组成的功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUHP的电流开断能力提高了25%，能在1700 V的电压条件下轻松开断IGBT上明显高于2400 A的电流。

特点和优势

低自感直流支撑电容器

B25632、B25690和B25689*系列

超低等效串联电感 (ESL) 和等效串联电阻 (ESR)
预期使用寿命长达10万个小时
额定电压高达2000 V DC

量身定制的缓冲电容器

B232656S1474K412和B32656S1334K412系列

低电感：＜6 nH
电容值范围：330至470 nF
最大电压为1600 V

规格参数

低电感直流支撑电容器

系列	直流电压 [V]]	电容 [µF]	ESL [nH]	ESR@最大100 kHz [mΩ]	端子
B25632* ULSI系列	700 ... 2000	20 ... 270	<13	<1.5	2	获取产品数据
B25690* 树脂顶盖	700 ... 3000	110 ... 5500	<20	<2	2	获取产品数据
B25689* 4T金属顶盖	700 ... 3000	50 ... 3000	<10	<2	4	联系销售人员

量身定制的缓冲电容器

订购代码	B32656S1474K412	B32656S1334K412
宽 [mm]	19.0	19.0
高 [mm]	37.5	37.5
长 [mm]	42.0	42.0
电容 [nF]	470	330
电压 [V DC]	1600	1600
ESL [nH]	6	6
ESR [mΩ]	4	4
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TDK eliminates voltage overshoots for high-performance modules in the mega-watt range

High-performance IGBT modules switch currents in the kA range, whereby unwanted and in some cases harmful voltage overshoots can occur due to DC link leakage inductances. To counteract this, TDK offers extremely low-inductance special- snubber and DC link capacitors.

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Semikron SkiiP® 4使用爱普科斯 (EPCOS) 电容器消除电压过冲

特点和优势

低自感直流支撑电容器

B25632*、B25690*和B25689*系列

量身定制的缓冲电容器

B232656S1474K412和B32656S1334K412系列

规格参数

低电感直流支撑电容器

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B25632、B25690和B25689*系列