薄膜电容器: 具有更多端子配置和更高电容值的缓冲电容器

TDK公司扩展了旗下爱普科斯(EPCOS) 缓冲薄膜电容器产品系列，现可提供具有17种不同的端子配置的产品，以保护市面上更多的IGBT模块不受电压峰值损坏。

MKP B32656S*至B32658S*系列缓冲电容器具有超高的脉冲强度和触点可靠性，同时具有极低的ESL值；电压范围为850V DC至2000V DC，电容值范围为68 nF至5.6 µF；共有17种镀锡铜端子配置可选，孔距为19.5至63 mm。所有系列的电容器工作温度最高可达+110 °C。

术语

• IGBT：IGBT指绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体元件，主要应用于变频器中的电力开关

主要应用

• 保护变频器中的IGBT模块不受电压峰值损坏

主要特点与优势

• 共17中端子配置可选
• 高脉冲强度，工作电压高达2000 V DC
• 高电容值，最高可达5.6 µF

关键数据

如需了解该产品的更多信息，请访问www.epcos-china.com

如有疑问，请将邮件发送至 marketing.communications(at)epcos.com

关于TDK公司

TDK株式会社是一家领先的电子公司，总部位于日本东京。公司成立于1935年，主营铁氧体，是一种用于电子和磁性产品的关键材料。TDK的主要产品线包括TDK和爱普科斯(EPCOS)两大品牌的各类被动电子元件，模块和系统产品*；电源装置、磁铁等磁性应用产品以及能源装置、闪存应用设备等。TDK以成为电子元件的领先企业为目标，重点开展如信息和通信技术以及消费、汽车和工业电子市场领域。公司在亚洲、欧洲、北美洲和南美洲拥有设计、制造基地和销售办事处网络。2014年度3月末，TDK的销售总额约为96亿美元，全球雇员83,000人。

* 产品组合包括陶瓷、铝电解电容器和薄膜电容器、铁氧体和电感器、高频元件如声表面波滤波器(SAW)和模块、压电和保护元件以及传感器。