TDK CeraLink电容器采用了新型专利反铁电电容器技术，随着电压的增加该材料的电容值随之增大。凭借 基于该反铁电电容器新型专利技术，TDK CeraLink电容器的电容值随着电压增大而增大。

电容值相对于电压

借助ESL和ESR极低的属性，CeraLink电容器可支持更高的切换频率以及成本更低且更稳定的半导体器件（如高速IGBT相对于MOSFET）。此外，由于需要显著降低制造的复杂性、芯片面积通常小于超接面MOSFET和其高切换频率，最新的IGBT具有卓越的性价比。该类型解决方案的成本通常比MOSFET解决方案低三分之一，此外，电容值、电路板空间、磁性元件和散热器等尺寸也可显著降低，因此，总方案成本 (TCS) 可降低40%多。

在用于系统集成时，CeraLink可降低由过压（由系统方法引起）造成半导体器件损坏的风险。

新型专利系统解决方案

CeraLink的多层设计采用了一种带铜内电极的新型设计陶瓷材料，在性价比方面具有明显的优势。

优势

• ESR随着温度大幅降低
• ESL极低
• 铜内电极材料的属性很有利于高频切换，损耗低，且支持高Imax的快速转换率。
• 适用于切换频率高达1 MHz及以上的应用
• 宽工作温度范围，温度可高达 +150 °C（还适用于SiC/ GaN）
• 高频时损耗低
• 支持快速切换半导体
• 可进一步减小系统级电力电子设备尺寸
• 由于材料选择恰当，漏电流超低
• 随着频率增加，介质损耗降低
• 接线端子，用于焊接和现代快压合技术
• 随着DC电压向上偏移至工作电压，电容值随之增大
• 外壳紧凑，具有多个选项，可用于工业和汽车行业的典型电力模块
• 提供用于集成至电力模块 (IGBT/ MOSFET/ SiC) 的特殊型号

特性

• 电容密度高
• ESR和ESL值极低
• 高电流密度，可-有效降低纹波电压
• 随着电压增大有效电容值增大
• 可用于高温波动的应用
• 高频时损耗低
• 支持快速切换半导体
• 可减小系统级电力电子设备尺寸

规格

• 绝缘电阻很高，大于1 GΩ，特别是高温下，漏电流很低。
• ESL极低，小于3.5 nH
• 工作温度介于 -40 °C至+125 °C（短期可高达 +150 °C），还适用于SiC和 GaN

TDK CeraLink为基于SiC和GaN半导体的快速切换转换器的缓冲器和DC链路提供了极其紧凑的解决方案。这些新型电容器基于PLZT陶瓷材料（锆钛酸铅镧），与传统的陶瓷电容器相比，CeraLink电容器在应用电压时具有最大的电容值，甚至还增加了纹波电压所占的比例。

三种设计可供选择

高温时卓越的ESR性能

额定电压时同等系列的电阻值

低漏地电流（绝缘）老化退化

电力电子设备的关键参数是自放电时间常数及其温度依赖性。高温时自放电时间常数大可最大程度降低高温故障模式（如热失控）的风险。由于CeraLink 电容器采用了陶瓷材料，其结构优于现有的陶瓷系统，因此具有卓越的防老化性能。

高额定电流，与是否有冷却系统无关

该测量值是在+85 °C的机柜温度环境下进行的。由于铜电极具有良好的热导电性，CeraLink电容器的制冷非常有效。其最大允许电流仅受限于设备温度。即便无强制冷却（无空气流动，无散热器），还可使用几个A/µF。