薄膜电容器
2014年11月11日
具有更多端子配置和更高电容值的缓冲电容器
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TDK公司扩展了旗下爱普科斯(EPCOS) 缓冲薄膜电容器产品系列，现可提供具有17种不同的端子配置的产品，以保护市面上更多的IGBT模块不受电压峰值损坏。
MKP B32656S*至B32658S*系列缓冲电容器具有超高的脉冲强度和触点可靠性，同时具有极低的ESL值；电压范围为850V DC至2000V DC，电容值范围为68 nF至5.6 µF；共有17种镀锡铜端子配置可选，孔距为19.5至63 mm。所有系列的电容器工作温度最高可达+110 °C。
术语
- IGBT：IGBT指绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体元件，主要应用于变频器中的电力开关
主要应用
- 保护变频器中的IGBT模块不受电压峰值损坏
主要特点与优势
- 共17中端子配置可选
- 高脉冲强度，工作电压高达2000 V DC
- 高电容值，最高可达5.6 µF
关键数据
| 系列 | 额定电压 [V DC] | 电容值 [μF] | 最大温度 [°C] | 端子配置 |
|---|---|---|---|---|
| B32656S* 至B32658S* | 850至2000 | 0.068至5.6 | 110 | 17 |
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